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蘇姿豐終于決定開啟首次訪韓之旅。

據(jù)韓媒《每日經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，美國(guó)超威半導(dǎo)體公司（AMD）董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官蘇姿豐將于3月18日訪韓，并會(huì)見三星電子會(huì)長(zhǎng)李在镕和韓國(guó)搜索引擎大廠Naver公司高層。這是蘇姿豐2014年上任以來首次。

有意思的是，蘇姿豐訪韓的時(shí)間點(diǎn)，選在了英偉達(dá)每年最重要的GTC大會(huì)期間，芯片巨頭隔空對(duì)壘再次復(fù)現(xiàn)，雙方恐怕又要在同一時(shí)段搶占媒體頭條和熱點(diǎn)話題了。

當(dāng)然，這背后更顯現(xiàn)的是，存儲(chǔ)芯片超級(jí)周期的又一信號(hào)。

如今，AI芯片領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)白熱化，以韓國(guó)三星、SK海力士為代表的存儲(chǔ)巨頭愈發(fā)成為供應(yīng)鏈上的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。

就連英偉達(dá)CEO黃仁勛，上個(gè)月都熱情宴請(qǐng)SK海力士工程師，親自敬酒以保供應(yīng)，蘇姿豐此次訪韓就顯得更加意味深長(zhǎng)。

AI來了，存儲(chǔ)從“周期”走向“超級(jí)周期”

蘇姿豐內(nèi)心想必很清楚，若AMD無法提前鎖定最新一代HBM4的穩(wěn)定供應(yīng)，公司很可能將在與英偉達(dá)GPU，以及，強(qiáng)勢(shì)崛起的ASIC芯片的競(jìng)爭(zhēng)中持續(xù)處于下風(fēng)。

近年來，AI熱潮持續(xù)沖擊著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，其中，存儲(chǔ)是受影響最大的領(lǐng)域。

尤其是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）領(lǐng)域的高帶寬內(nèi)存（HBM），其通過與GPU緊密封裝實(shí)現(xiàn)超高帶寬，對(duì)于大模型訓(xùn)練至關(guān)重要。

以往，存儲(chǔ)行業(yè)的周期大致在3年左右，但AI對(duì)算力看起來近乎無限的需求，完全打破了這一節(jié)奏。

2025年，以微軟、谷歌、亞馬遜、Meta等大型云廠商為代表的科技巨頭，已經(jīng)以超4000億美元的大規(guī)模資本開支（Capex）極大拉動(dòng)了算力硬件產(chǎn)業(yè)鏈需求，到了2026年，相關(guān)資本開支還會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)到6500億美元的驚人水平。受此影響，產(chǎn)業(yè)鏈需求繼續(xù)高增。

數(shù)據(jù)來源：美國(guó)云巨頭廠商財(cái)報(bào)及電話會(huì)議；作者制圖

高盛預(yù)計(jì)，2026年，全球HBM需求將同比增長(zhǎng)76%。相關(guān)報(bào)告還指出，AI服務(wù)器對(duì)內(nèi)存的消耗是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍以上，這種結(jié)構(gòu)性變化，使得存儲(chǔ)需求完全脫離了傳統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)周期。

而在供給側(cè)，為了滿足激增的HBM訂單，三星、SK海力士和美光科技三大巨頭，不得不將大量原本用于生產(chǎn)通用DRAM的晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM，其他存儲(chǔ)技術(shù)如NAND等產(chǎn)能，也全線告急，這導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)格狂飆。

在“擠壓效應(yīng)”和“漲價(jià)潮”的雙重影響下，使用通用存儲(chǔ)芯片的手機(jī)、電腦等產(chǎn)品成本驟增，只能紛紛漲價(jià)。

HBM卻無法僅靠短期擴(kuò)產(chǎn)滿足需求。此前，美光科技移動(dòng)與客戶端業(yè)務(wù)部門營(yíng)銷副總裁克里斯托弗·摩爾（Christopher Moore）表示，該領(lǐng)域市場(chǎng)的供需結(jié)構(gòu)已徹底被重構(gòu)，盡管行業(yè)已啟動(dòng)巨額投資擴(kuò)產(chǎn)，但新建晶圓廠本就需要數(shù)年周期，且AI對(duì)技術(shù)、良率要求極高，產(chǎn)品投產(chǎn)后，還需經(jīng)歷漫長(zhǎng)的客戶認(rèn)證和設(shè)備調(diào)試，讓產(chǎn)能釋放的時(shí)間進(jìn)一步拉長(zhǎng)。

摩爾還表示，目前存儲(chǔ)產(chǎn)線因客戶對(duì)8GB、12GB、16GB等多容量規(guī)格的并行需求而頻繁切換，影響了提產(chǎn)效率，預(yù)計(jì)產(chǎn)能短缺問題至少將持續(xù)至2028年。

去年以來，多家研究機(jī)構(gòu)報(bào)告指出，存儲(chǔ)帶寬或?qū)⒃谝欢螘r(shí)間內(nèi)，成為制約GPU性能釋放的最大瓶頸之一。

激戰(zhàn)HBM4，三星、SK海力士紛紛出手

美國(guó)芯片巨頭與韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭間錯(cuò)綜復(fù)雜的關(guān)系，對(duì)各自公司的發(fā)展前景和行業(yè)格局有至關(guān)重要的影響。

曾經(jīng)，三星在芯片領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)遠(yuǎn)超SK海力士，但正是在這輪AI浪潮中，隨著英偉達(dá)的崛起，局面發(fā)生了變化。

韓國(guó)記者李德周在《英偉達(dá)之道》一書中，曾介紹過SK海力士“逆襲”的歷程。

SK海力士與三星均在2013年左右開始開發(fā)HBM，2015年起向英偉達(dá)供貨。然而，在2022年底，在ChatGPT引爆這波生成式AI浪潮之前，三星內(nèi)部判斷，AI市場(chǎng)有限，未像SK海力士那樣積極投入HBM的研發(fā)與產(chǎn)能，也錯(cuò)過了與英偉達(dá)建立更緊密合作的機(jī)會(huì)。

反觀SK海力士，憑借更高的良率、更充足的產(chǎn)能和更快的迭代速度，持續(xù)為英偉達(dá)每一代新產(chǎn)品供應(yīng)HBM，公司銷售額和股價(jià)雙雙飆升，整個(gè)2025年?duì)I業(yè)利潤(rùn)已歷史首次超越三星。

在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，英偉達(dá)的HBM第二順位供應(yīng)商是美光科技，直到去年底，三星才有明顯起色。

但在目前HBM4的迭代中，局面又開始洗牌，各家公司開啟了新一輪競(jìng)爭(zhēng)。

2月中旬，三星宣布率先向英偉達(dá)出貨了首批HBM4產(chǎn)品，是行業(yè)首家，同時(shí)計(jì)劃在5月實(shí)現(xiàn)大規(guī)模供貨。

另一邊，SK海力士的進(jìn)度也較為近似，而且在良率等指標(biāo)上可能仍有優(yōu)勢(shì)。

從目前披露的信息來看，英偉達(dá)新一代Rubin架構(gòu)中，約60-70%的HBM4訂單可能仍會(huì)花落SK海力士。也正因?yàn)橛ミ_(dá)和SK海力士愈發(fā)深厚綁定，三星和AMD等“追趕者”也加緊了互相合作，以求提升自身競(jìng)爭(zhēng)力。

與此同時(shí)，美光科技在HBM4上的性能和產(chǎn)能進(jìn)度上并不理想，新技術(shù)迭代處于落后。

多家分析機(jī)構(gòu)認(rèn)為，HBM4的競(jìng)爭(zhēng)將主要集中在韓系兩巨頭之間。

截圖來自Bernstein今年1月發(fā)布的報(bào)告Asia Semiconductors and Global Memory： 2026 is still all about AI

實(shí)際上，存儲(chǔ)行業(yè)格局的巨變，正是AI的快速發(fā)展，促使很多格局固化已久產(chǎn)業(yè)重新洗牌的結(jié)果之一。

以往，被視為“老成持重”的三星，目前在HMB4和新一代技術(shù)方面頗為激進(jìn)，而后來者SK海力士，風(fēng)格則趨向穩(wěn)健，注重保持性能與可靠性的平衡。

另外，值得注意的是，標(biāo)準(zhǔn)化HBM4的競(jìng)爭(zhēng)尚未結(jié)束，下一代定制化產(chǎn)品HBM4E的戰(zhàn)火已經(jīng)燃起，推理需求、定制化芯片更加與這一趨勢(shì)相關(guān)。

為了爭(zhēng)奪推理、定制化市場(chǎng)，芯片廠商希望，將特定邏輯功能集成到HBM的基礎(chǔ)芯片中，以進(jìn)一步優(yōu)化性能、降低延遲和功耗，這對(duì)存儲(chǔ)廠商邏輯設(shè)計(jì)與先進(jìn)封裝的能力提出了新要求。

三星目前已組建專門團(tuán)隊(duì)，計(jì)劃在今年中完成定制HBM4E設(shè)計(jì)，并考慮采用自研2nm工藝以求突破。SK海力士和美光，則繼續(xù)深度綁定臺(tái)積電的先進(jìn)制程生態(tài)，逐步加碼HBM4E產(chǎn)能。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)崛起，誰在搶跑HBM賽道？

中國(guó)國(guó)產(chǎn)芯片自然不會(huì)錯(cuò)過這股熱潮，已經(jīng)有強(qiáng)勢(shì)崛起之勢(shì)。

雖然國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)在高精尖的HBM領(lǐng)域仍面臨較多阻礙，難以短期內(nèi)追趕國(guó)際領(lǐng)先，但在通用存儲(chǔ)領(lǐng)域，不少?gòu)S商已取得可觀進(jìn)展。

其中，當(dāng)前最引人注目的當(dāng)屬長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)市占第一的DRAM芯片設(shè)計(jì)制造商，主要為移動(dòng)設(shè)備、服務(wù)器和消費(fèi)電子等領(lǐng)域提供內(nèi)存解決方案。近年來，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)發(fā)展速度逐步提升，全球產(chǎn)能占比已超過4%，是“芯片國(guó)產(chǎn)替代潮”中的重要力量之一。

而且，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與國(guó)際領(lǐng)先水平的技術(shù)差距正在縮小。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)近期已啟動(dòng)HBM3樣品送測(cè)，并交付給國(guó)內(nèi)頭部客戶進(jìn)行驗(yàn)證，計(jì)劃今年起全面量產(chǎn)。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)計(jì)劃走向資本市場(chǎng)。去年末，該公司已正式向上交所遞交招股書，擬在科創(chuàng)板掛牌上市，計(jì)劃募資295億元，主要用于存儲(chǔ)器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)改造項(xiàng)目、DRAM存儲(chǔ)器技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前瞻技術(shù)研究與開發(fā)項(xiàng)目。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)募資額是科創(chuàng)板創(chuàng)立以來的歷史第二高，僅次于另一大國(guó)產(chǎn)芯片巨頭中芯國(guó)際的532.3億元。市場(chǎng)對(duì)其上市估值的預(yù)測(cè)也高達(dá)1500億元，可能又將引領(lǐng)一次IPO狂歡。大筆融資和資本市場(chǎng)的反饋，也有望繼續(xù)推動(dòng)該公司發(fā)展提速，緊追國(guó)際領(lǐng)先水平。

此外，主攻3D NAND閃存的長(zhǎng)江存儲(chǔ)也已經(jīng)嶄露頭角。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要業(yè)務(wù)集中在消費(fèi)級(jí)SSD和嵌入式存儲(chǔ)市場(chǎng)，在全球3D NAND閃存市場(chǎng)中已穩(wěn)居第一梯隊(duì)。目前也正處于產(chǎn)能快速擴(kuò)張期。

此外，佰維存儲(chǔ)、宏芯宇電子、江波龍等國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商，都迎來了自身的業(yè)務(wù)高增長(zhǎng)期。星辰天合、芯天下等初創(chuàng)公司，在存儲(chǔ)超級(jí)周期中受到市場(chǎng)重視，開啟了增產(chǎn)開拓市場(chǎng)和沖刺IPO融資之旅。

不過，應(yīng)該看到的是，在核心工藝、先進(jìn)封裝等尚存技術(shù)難關(guān)，且全球中、美芯片生態(tài)鏈出現(xiàn)隔離、分化趨勢(shì)的背景下，國(guó)產(chǎn)HBM的突破很難一蹴而就。未來，除了單點(diǎn)的技術(shù)攻關(guān)、突破瓶頸外，產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同也顯得尤其重要。

尤其在國(guó)產(chǎn)芯片替代潮涌，AI算力整體需求爆發(fā)，政策和資本支持逐步加碼，創(chuàng)新動(dòng)能持續(xù)涌現(xiàn)的情況下，國(guó)產(chǎn)設(shè)備、材料、設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)整個(gè)鏈條能實(shí)現(xiàn)協(xié)同攻關(guān)，將更有利于趕上先進(jìn)技術(shù)的迭代步伐。（作者｜胡珈萌，編輯｜李程程）

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