2月24日,宏微科技向客戶發(fā)出“漲價通知函”,宣布將對IGBT單管及模塊、MOSFET器件進行調(diào)價,2026年3月1日實施。

繼士蘭微、宏微科技后,國產(chǎn)功率半導體廠商新潔能于2026年2月25日發(fā)布價格調(diào)整通知,宣布對MOSFET產(chǎn)品漲價10%起,3月1日起發(fā)貨生效。

同日捷捷微電宣布,對其MOS系列產(chǎn)品提價10%-20%,自2026年2月1日起,新發(fā)MOS成品均按新價格執(zhí)行。

除了上述幾家公司,華潤微電子也正式發(fā)布重磅價格調(diào)整公告,明確自2026年2月1日起,對公司全系列微電子產(chǎn)品啟動價格上調(diào),上調(diào)幅度最低10%。華潤微主要產(chǎn)品包括以 MOSFET、IGBT、第三代寬禁帶半導體為代表的功率半導體產(chǎn)品,以光電傳感器、煙報傳感器、MEMS傳感器為主的傳感器產(chǎn)品,和以MCU為代表的智能控制產(chǎn)品等。

全球分立半導體與無源元件龍頭Vishay亦傳出漲價消息。因關(guān)鍵原材料成本持續(xù)大幅攀升,公司將對MOSFET 及 IC 產(chǎn)品線實施緊急價格調(diào)整,以緩解成本壓力、保障供應(yīng)穩(wěn)定。

從漲價幅度來看,多數(shù)廠商調(diào)整幅度為10%起,漲價產(chǎn)品主要為MOSFET產(chǎn)品。值得注意的是,2 月初英飛凌已宣布,自 4 月 1 日起上調(diào)功率開關(guān)及相關(guān)芯片價格。

那么,MOSFET 價格為何會密集上調(diào)?

MOSFET,因何進入漲價周期?

從供給端來看,MOSFET 的漲價首先源于成本端的剛性擠壓,且這種壓力已穿透 “原材料 - 制造 - 封裝” 全產(chǎn)業(yè)鏈,企業(yè)內(nèi)部消化空間基本耗盡。

封裝環(huán)節(jié)的材料成本首當其沖。對于中低壓 MOSFET 等成熟產(chǎn)品,封裝成本或超 50%,而銅、銀、鈀等關(guān)鍵貴金屬在封裝材料中占比極高。市場數(shù)據(jù)顯示,截至2026年1月27日收盤,國際銀價達到每盎司112.14美元,相比2025年初漲幅282%; 錫價每噸54876美元,漲幅89%; 銅價每噸13024美元,漲幅48%。 這些基礎(chǔ)材料的價格波動,直接沖擊了 MOSFET 的生產(chǎn)底線。

晶圓代工環(huán)節(jié)的漲價則進一步加劇成本壓力。MOSFET 主要依賴 8 英寸成熟制程,而8英寸晶圓代工價格的上漲,并非短期突發(fā)現(xiàn)象,而是自2025年下半年以來逐步發(fā)酵、持續(xù)蔓延的行業(yè)趨勢。臺積電、三星等國際大廠逐步將 8 英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)向 CIS、電源管理芯片等高毛利產(chǎn)品,甚至關(guān)停部分老舊產(chǎn)線;中芯國際已向部分客戶發(fā)出漲價通知,對部分產(chǎn)能實施約10%的價格上調(diào),世界先進等代工大廠也迅速跟進。對于Fabless 模式的 MOSFET 企業(yè),上游提價直接擠壓了核心利潤空間。

與此同時,盡管國產(chǎn)特色工藝代工廠開放90nm–180nm BCD平臺,但高壓MOSFET所需深溝槽、厚外延、背面工藝等模塊尚未完全成熟,高端MOSFET產(chǎn)能持續(xù)吃緊。

再從需求端來看,單純的成本推動難以支撐全行業(yè)漲價落地,真正的核心動力來自下游應(yīng)用市場的需求爆發(fā)。

過去兩年,盡管消費電子疲軟拖累中低壓MOSFET需求,但新能源車、光伏儲能、AI服務(wù)器電源三大高增長賽道對高壓MOSFET的需求持續(xù)超預期。

在新能源汽車市場,隨著800V高壓平臺加速滲透,OBC(車載充電機)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、熱管理系統(tǒng)對650V/750V超結(jié)MOSFET需求激增。隨著汽車智能化發(fā)展,ADAS、安全、信息娛樂等功能均需使用MOSFET,根據(jù)英飛凌數(shù)據(jù),未來中高端車型中MOSFET單車用量將有望增至400個。

在光伏與儲能市場,隨著組串式逆變器向更高功率密度演進,1200V Trench MOSFET成為主流;戶用儲能系統(tǒng)對高效率、小體積AC-DC拓撲提出新要求,推動SGT(Split-Gate Trench)MOSFET用量翻倍。

在AI服務(wù)器市場,2026年全球八大云端服務(wù)供應(yīng)商(CSP)的資本支出預計將突破7100億美元,年增率高達61%。這一增長主要得益于云服務(wù)巨頭們對AI應(yīng)用的不斷投資,推動了AI服務(wù)器及相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)。與傳統(tǒng)服務(wù)器相比,單臺 AI 服務(wù)器的功率密度提升 3-5 倍,對高壓 MOSFET、電源管理 MOSFET 的需求量呈指數(shù)級增長,直接拉動高端料號需求緊張。英飛凌也在漲價通知中明確提及,AI 數(shù)據(jù)中心的缺貨壓力是調(diào)價的重要原因。

此外,人形機器人商業(yè)化加速,成為高壓MOSFET新增長極。其功率驅(qū)動與電源管理單元對器件動態(tài)響應(yīng)、功率等級等要求嚴苛,推動高端產(chǎn)品技術(shù)迭代。

本次MOSFET密集漲價,絕非短期供需失衡的偶然結(jié)果,而是行業(yè)周期、技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)競爭共同作用的必然。

MOSFET競爭,進入新陣地

從技術(shù)迭代來看,MOSFET正處于“硅基升級+寬禁帶演進”的雙重變革期。

硅基MOSFET方面,F(xiàn)inFET之后的GAA(全環(huán)繞柵極)技術(shù)逐步落地,成為延續(xù)CMOS縮放的核心方向,通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化提升電學控制能力,降低寄生損耗,適配高端場景需求;而寬禁帶半導體中的碳化硅(SiC)MOSFET,憑借耐高壓、低損耗、耐高溫的優(yōu)勢,在新能源汽車800V平臺、高端光伏逆變器等場景快速滲透。

長期以來,英飛凌、Vishay、安森美、意法半導體等國際巨頭憑借數(shù)十年技術(shù)積累、完整產(chǎn)品線布局及嚴苛質(zhì)量管控,在高端MOSFET市場形成絕對壟斷,尤其在車規(guī)級、工業(yè)級高壓料號領(lǐng)域,優(yōu)勢難以撼動。其核心競爭力并非單純的技術(shù)領(lǐng)先,更在于長期沉淀的客戶認證壁壘與供應(yīng)鏈協(xié)同能力——車規(guī)級MOSFET需通過AEC-Q101、ISO 26262等嚴苛認證,認證周期長達18-36個月,海外巨頭憑借先發(fā)優(yōu)勢,已深度綁定全球主流車企與工業(yè)設(shè)備廠商,形成“認證-供貨-迭代”的閉環(huán),構(gòu)建起國產(chǎn)廠商短期內(nèi)難以突破的競爭壁壘。

其中,英飛凌CoolSic產(chǎn)品線全年營收達15.3億歐元,同比增長52%,占公司總營收的12.7%。其位于馬來西亞居林的12英寸SiC晶圓廠于去年第二季度實現(xiàn)滿產(chǎn),月產(chǎn)能達2萬片,成為全球首個大規(guī)模量產(chǎn)12英寸SiC晶圓的企業(yè),被Yole評價為“開啟了碳化硅成本下降的新拐點”。

國產(chǎn)MOSFET廠商呈現(xiàn)“頭部突圍、尾部出清”的分化態(tài)勢,以華潤微、新潔能、士蘭微、聞泰科技(安世半導體)、比亞迪半導體為代表的本土龍頭,正從中低壓領(lǐng)域向高壓、車規(guī)級領(lǐng)域加速滲透,逐步打破海外壟斷,成為行業(yè)格局重構(gòu)的核心力量。這些龍頭企業(yè)憑借持續(xù)的研發(fā)投入與IDM模式優(yōu)勢,逐步突破深溝槽、厚外延等核心工藝,在中低壓MOSFET領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用,市占率持續(xù)提升。

2025年全球功率MOSFET管排名前10的供應(yīng)商排名暫未披露,但從2024年的排名中可以看到,前十家公司分別為:英飛凌、安森美半導體、意法半導體、恩智浦、安世半導體、威世、東芝、萬代半導體、華潤微電子、士蘭微電子、博世、瑞薩電子

可以看到,2024年全球功率MOSFET管主要供應(yīng)商中,兩家國產(chǎn)功率半導體公司保持在排名前10位,而且排名出現(xiàn)了上升,這表明國產(chǎn)功率MOSFET管公司的產(chǎn)品競爭力有所增加。

2025年,國內(nèi)碳化硅器件技術(shù)呈現(xiàn)兩大突破:一是高耐壓芯片量產(chǎn)落地,比亞迪半導體推出全球首款可批量裝車的1500V高耐壓大功率碳化硅芯片;二是大尺寸晶圓產(chǎn)能釋放,株洲中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項目完成8英寸碳化硅晶圓線通線。

企業(yè)層面進展同步推進。華潤微2025年碳化硅相關(guān)產(chǎn)線基本實現(xiàn)滿產(chǎn),最新一代MOS G4產(chǎn)品已推向市場,并獲得各行業(yè)標桿客戶的認可與批量使用,主驅(qū)模塊已實現(xiàn)批量上車。士蘭微則坦言,子公司士蘭明鎵因6英寸SiC芯片產(chǎn)線處于爬坡期,前期產(chǎn)出少、折舊高、原材料成本高,疊加市場價格大幅下滑,導致2025年經(jīng)營性虧損擴大。不過,公司已開發(fā)多規(guī)格SiC芯片覆蓋汽車、新能源、工業(yè)等需求,2025年下半年產(chǎn)出逐步提升,預計2026年實現(xiàn)滿產(chǎn)。近日,華潤微發(fā)布業(yè)績快報,2025年度實現(xiàn)營業(yè)總收入110.54億元,同比增長9.24%;凈利潤6.61億元,同比下降13.26%。士蘭微也發(fā)布2025年年度業(yè)績預告。預計2025年度實現(xiàn)歸母凈利潤為3.30億元到3.96億元,同比增長50%到80%。

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