如上圖所示，根據(jù)以往的模式，存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率呈現(xiàn)四年周期性波動(dòng)，在2017年中期達(dá)到峰值，2019年中期觸底，2021年下半年再次達(dá)到峰值，2023年中期觸底。按照這種模式，人們可能會(huì)預(yù)期峰值出現(xiàn)在2025年，谷底出現(xiàn)在2027年。
然而，令人費(fèi)解的是，如果僅從增長(zhǎng)率來(lái)看，峰值實(shí)際上已在2024年到來(lái)，而2025年上半年則出現(xiàn)了先下降后上升的趨勢(shì)，打破了之前的周期性規(guī)律。從上圖可以看出，兩點(diǎn)顯而易見(jiàn)：目前的出貨量遠(yuǎn)高于前兩個(gè)峰值，而且峰值尚未最終確定。
與前兩輪周期不同，本輪上行不再依賴(lài)個(gè)人消費(fèi)端需求，而是以企業(yè)級(jí)AI資本開(kāi)支為核心。韓華投資證券分析師Park Jun-young在 2 月 24 日發(fā)布的一份報(bào)告中預(yù)測(cè)，2026年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將比上年增長(zhǎng)159%，達(dá)到5749億美元，是2018年1599億美元的3.6倍。 具體而言，他預(yù)測(cè)DRAM市場(chǎng)將同比增長(zhǎng) 192%，達(dá)到4399億美元，NAND市場(chǎng)將增長(zhǎng) 88%，達(dá)到1350億美元。
總的來(lái)說(shuō)，2024年至今，AI算力基建與HBM技術(shù)革命成為新引擎，直接改寫(xiě)了傳統(tǒng)周期邏輯。
周期失靈的背后，是存儲(chǔ)芯片需求端的結(jié)構(gòu)性重塑。
在高端市場(chǎng)，AI產(chǎn)業(yè)化的加速落地直接引爆了存儲(chǔ)需求。不同于傳統(tǒng)服務(wù)器，AI服務(wù)器需要承載大規(guī)模數(shù)據(jù)訓(xùn)練、高頻次數(shù)據(jù)運(yùn)算，對(duì)HBM（高帶寬存儲(chǔ)）、高端DDR5內(nèi)存及企業(yè)級(jí)SSD的需求量呈爆發(fā)式增長(zhǎng)，單臺(tái)AI服務(wù)器的存儲(chǔ)需求量更是達(dá)到傳統(tǒng)服務(wù)器的8-10倍。其中，HBM憑借超高帶寬、低延遲的核心優(yōu)勢(shì)，成功破解了AI運(yùn)算中的“內(nèi)存墻”技術(shù)瓶頸，成為AI算力基建的核心戰(zhàn)略級(jí)資源，目前2026年全球三大存儲(chǔ)巨頭的HBM產(chǎn)能已全部提前售罄，部分頭部AI企業(yè)甚至提前簽訂2027年長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
在中端市場(chǎng)，需求呈現(xiàn)穩(wěn)中有升的產(chǎn)業(yè)化格局，核心聚焦兩大場(chǎng)景：一是消費(fèi)電子的迭代升級(jí)，智能手機(jī)、筆記本電腦等終端逐步淘汰老舊存儲(chǔ)配置，DDR5內(nèi)存、PCIe 4.0 SSD因性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)成為主流配置，形成持續(xù)的增量需求；二是工業(yè)控制、車(chē)載存儲(chǔ)等工業(yè)級(jí)場(chǎng)景，這類(lèi)場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)芯片的穩(wěn)定性、兼容性要求較高，中端存儲(chǔ)產(chǎn)品能夠精準(zhǔn)匹配其需求，成為產(chǎn)業(yè)增量的重要支撐。
而低端市場(chǎng)則呈現(xiàn)明顯的收縮態(tài)勢(shì)，核心以存量替換為主——隨著高端、中端產(chǎn)品的普及，DDR4內(nèi)存、入門(mén)級(jí)NAND閃存等低端產(chǎn)品的市場(chǎng)需求持續(xù)下滑，頭部廠(chǎng)商紛紛主動(dòng)削減低端產(chǎn)能，將芯片制造產(chǎn)能、研發(fā)資源向高端、中端高附加值領(lǐng)域傾斜，避免低端市場(chǎng)的價(jià)格內(nèi)卷。這種清晰的需求分層，直接推動(dòng)整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的資源重構(gòu)。
需求分層與周期重構(gòu)，倒逼存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化迭代的快車(chē)道。
在傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)品方面，10nm以下DRAM制造工藝正成為主流，并逐步向7nm工藝突破，通過(guò)“FinFET架構(gòu)+TSV技術(shù)”提升密度、降低功耗。3D NAND堆疊層數(shù)突破400層后，“垂直堆疊”難度加劇，廠(chǎng)商轉(zhuǎn)向“水平擴(kuò)展+架構(gòu)優(yōu)化”，比如三星V-NAND的階梯式架構(gòu)、Kioxia的BiCS架構(gòu)，同時(shí)引入“HKC（高K介質(zhì)+金屬柵）”技術(shù)，解決高層數(shù)堆疊的漏電、散熱問(wèn)題，制造工藝從“層數(shù)競(jìng)賽”轉(zhuǎn)向“架構(gòu)+工藝”雙重競(jìng)爭(zhēng)。
然而，隨著數(shù)據(jù)量的爆發(fā)增長(zhǎng)，DRAM及NAND在耗電量及數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)速度上依舊無(wú)法跟上需求的腳步。他們?cè)谛枰咚龠\(yùn)算的應(yīng)用場(chǎng)景中也有一些阻礙。
彼時(shí)，新興技術(shù)正從邊緣切入，重構(gòu)存儲(chǔ)生態(tài)。比如MRAM（磁阻存儲(chǔ)器）兼具SRAM速度、DRAM密度與Flash非易失性，已在車(chē)規(guī)級(jí)MCU、工業(yè)控制器中商用，三星、臺(tái)積電、英特爾等均在持續(xù)推進(jìn)該技術(shù)進(jìn)展。ReRAM（阻變存儲(chǔ)器）單元面積小，讀寫(xiě)速度是NAND的1000倍，同時(shí)功耗可以降低15倍。CXL（Compute Express Link）雖非存儲(chǔ)介質(zhì)，卻是內(nèi)存池化的關(guān)鍵。通過(guò)CXL，服務(wù)器可將多個(gè)DRAM/HBM模塊虛擬為統(tǒng)一內(nèi)存池，大幅提升AI訓(xùn)練效率。Intel、AMD、三星正推動(dòng)其成為下一代數(shù)據(jù)中心標(biāo)配。不過(guò)，新興存儲(chǔ)并非要“取代”DRAM或NAND，而是填補(bǔ)其無(wú)法覆蓋的“價(jià)值縫隙”。未來(lái)將是“傳統(tǒng)+新興”的分層共存格局。
CoWoS先進(jìn)封裝可謂HBM的黃金搭檔。隨著全球?qū)τ诟咝阅苡?jì)算（HPC）及人工智能（AI）芯片需求的持續(xù)增長(zhǎng)，也推動(dòng)了對(duì)于臺(tái)積電CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）先進(jìn)封裝產(chǎn)能的需求暴漲，雖然臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，但依然難以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，成為了限制HPC及AI芯片產(chǎn)能的另一關(guān)鍵瓶頸。這也使得部分客戶(hù)考慮尋求臺(tái)積電CoWoS以外的替代方案，其中就包括英特爾的EMIB-T先進(jìn)封裝技術(shù)。
EMIB-T，即“EMIB with TSV（Through-Silicon Via）”，是在英特爾原有EMIB（嵌入式多芯片互連橋）技術(shù)基礎(chǔ)上的一次關(guān)鍵升級(jí)。傳統(tǒng)EMIB利用嵌入在封裝基板中的硅橋，實(shí)現(xiàn)多顆裸晶之間的高速互連。
而EMIB-T則在硅橋中引入TSV通孔結(jié)構(gòu)，使得信號(hào)可垂直穿越橋接芯片本體，實(shí)現(xiàn)更高密度、更短路徑的垂直互連。
這種架構(gòu)帶來(lái)三大直接優(yōu)勢(shì)：
帶寬提升：TSV大幅縮短互連距離，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率，能夠支持HBM4等超高帶寬需求；延遲降低：橋接器內(nèi)部的TSV路徑比傳統(tǒng)封裝走線(xiàn)更短，有效降低數(shù)據(jù)通信延遲；功耗優(yōu)化：短路徑低電容，有助于降低整體系統(tǒng)功耗，符合高性能芯片的PPA（功耗、性能、面積）優(yōu)化目標(biāo)。
從設(shè)計(jì)角度看，EMIB-T不再局限于簡(jiǎn)單的2.5D互連，而是向3D封裝技術(shù)Foveros靠攏，使得在更大芯片尺寸下實(shí)現(xiàn)高密度集成成為可能，為未來(lái)異構(gòu)計(jì)算平臺(tái)提供靈活封裝架構(gòu)。
據(jù)悉，蘋(píng)果公司與高通公司在新的職位招聘要求中，都明確列出了需要英特爾的EMIB 與Foveros 等先進(jìn)封裝技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，顯示多家大廠(chǎng)正尋求CoWoS 以外的替代方案。
FOPLP也正憑借規(guī)?；瘍?yōu)勢(shì)快速崛起，被視為CoWoS的潛在繼任者。FOWLP基于圓形晶圓進(jìn)行封裝，由于晶圓形狀為圓盤(pán)狀，邊緣區(qū)域難以充分利用，導(dǎo)致芯片放置面積較小。尺寸與利用率優(yōu)勢(shì)是FOPLP的核心競(jìng)爭(zhēng)力。FOPLP采用方形大尺寸面板作為載板，而非8英寸或12英寸晶圓。
以600mm×600mm面板為例，其面積是12英寸晶圓載板的5.1倍，單片產(chǎn)出芯片數(shù)量大幅增加。同時(shí)，F(xiàn)OPLP的面積利用率超95%，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)晶圓級(jí)封裝的85%，同等面積下面板可多容納1.64倍芯片?；迕娣e增大持續(xù)降低成本，200mm向300mm過(guò)渡節(jié)約25%成本，300mm向板級(jí)封裝過(guò)渡更可節(jié)約66%成本。
三星在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)中積極應(yīng)用FOPLP技術(shù)，其用于可穿戴設(shè)備的Exynos W920處理器結(jié)合了5納米EUV工藝與FOPLP方案；谷歌已在Tensor G4芯片中采用三星的FOPLP技術(shù)；AMD、英偉達(dá)等公司正與臺(tái)積電及OSAT供應(yīng)商合作，計(jì)劃將FOPLP整合至其下一代芯片產(chǎn)品。中國(guó)大陸廠(chǎng)商也在積極布局FOPLP領(lǐng)域，華潤(rùn)微電子、成都奕斯偉、中科四合等已進(jìn)入該領(lǐng)域，部分具備量產(chǎn)能力。
傳統(tǒng)存儲(chǔ)行業(yè)長(zhǎng)期由三星、SK 海力士、美光三家主導(dǎo) DRAM，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK 海力士主導(dǎo) NAND，形成穩(wěn)定的 “三足鼎立 + 五強(qiáng)割據(jù)” 格局，定價(jià)權(quán)、技術(shù)路線(xiàn)、產(chǎn)能節(jié)奏高度集中。但 2025—2026 年，隨著 AI 需求爆發(fā)、先進(jìn)封裝獨(dú)立成鏈、本土廠(chǎng)商技術(shù)突破，行業(yè)正式進(jìn)入多極競(jìng)爭(zhēng)的全新博弈階段。
其中頭部廠(chǎng)商正從“價(jià)格協(xié)同” 轉(zhuǎn)向 “技術(shù)卡位”：三星、SK 海力士、美光已放棄低端價(jià)格戰(zhàn)，全面轉(zhuǎn)向HBM、高端 DDR5、企業(yè)級(jí) SSD、高堆疊 NAND等高毛利賽道。鎧俠、西部數(shù)據(jù)在 3D NAND 領(lǐng)域持續(xù)深耕，聚焦BiCS、XL-Flash架構(gòu)優(yōu)化，主攻數(shù)據(jù)中心大容量存儲(chǔ)與消費(fèi)級(jí)高端市場(chǎng)；國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠(chǎng)商憑借成熟工藝與差異化架構(gòu)，正式進(jìn)入全球主流通路。
除眾所周知的兩大存儲(chǔ)龍頭企業(yè)外，還有諸多國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)企業(yè)嶄露頭角。兆易創(chuàng)新作為全品類(lèi)存儲(chǔ)龍頭，聚焦NOR Flash、利基DRAM等領(lǐng)域，其N(xiāo)OR Flash全球市占率達(dá)18%，穩(wěn)居全球第二、國(guó)內(nèi)第一，SPI NAND國(guó)內(nèi)市占率領(lǐng)先，同時(shí)與國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈深度協(xié)同，車(chē)規(guī)、工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品全面突破，成為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)“設(shè)計(jì)+生態(tài)”協(xié)同發(fā)展的標(biāo)桿。
江波龍作為“存儲(chǔ)器第一股”，以PTM商業(yè)模式實(shí)現(xiàn)差異化突圍，覆蓋嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤(pán)等四大產(chǎn)品線(xiàn)，其eMMC和UFS產(chǎn)品全球排名第四，自主研發(fā)的主控芯片已批量出貨，累計(jì)小容量NAND Flash出貨量超1億顆，廣泛應(yīng)用于IoT、汽車(chē)、安防等領(lǐng)域。
此外，瀾起科技作為全球內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，國(guó)內(nèi)市占率約40%；佰維存儲(chǔ)憑借自研主控+封測(cè)一體化優(yōu)勢(shì)，在嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域占據(jù)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。依托國(guó)家產(chǎn)業(yè)扶持與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，這些廠(chǎng)商加速產(chǎn)能擴(kuò)張與技術(shù)迭代，搭配長(zhǎng)電科技、通富微電等配套企業(yè)，構(gòu)建起完整的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈，逐步實(shí)現(xiàn)從細(xì)分突圍到全面崛起，成為全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的重要一極。
日前，TrendForce集邦咨詢(xún)?nèi)嫔闲薜谝患綝RAM、NAND Flash各產(chǎn)品價(jià)格季成長(zhǎng)幅度，預(yù)估整體Conventional DRAM合約價(jià)將從一月初公布的季增55-60%，改為上漲90-95%，NAND Flash合約價(jià)則從季增33-38%上調(diào)至55-60%，并且不排除仍有進(jìn)一步上修空間。
具體到細(xì)分領(lǐng)域，2026年第一季PC DRAM價(jià)格將季增100%以上，漲幅達(dá)歷史新高。Server DRAM價(jià)格上漲約90%，幅度創(chuàng)歷年之最。至于Mobile DRAM市場(chǎng)，第一季LPDDR4X、LPDDR5X合約價(jià)皆大幅上調(diào)至季增90%左右, 幅度同樣是歷來(lái)最高。在NAND Flash市場(chǎng)部分，2026年第一季Enterprise SSD價(jià)格將季增53-58%，創(chuàng)下單季漲幅最高紀(jì)錄。
2026年1月份，三星電子與SK海力士已向服務(wù)器、PC及智能手機(jī)用DRAM客戶(hù)提出漲價(jià)，今年一季度報(bào)價(jià)將較去年第四季度上漲60%-70%。閃迪計(jì)劃在3月期間，將其用于企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的高容量3D NAND閃存芯片價(jià)格環(huán)比上調(diào)超過(guò)100%，并要求客戶(hù)支付全額現(xiàn)金預(yù)付款。力成、華東、南茂等存儲(chǔ)封測(cè)廠(chǎng)產(chǎn)能利用率近乎滿(mǎn)載，陸續(xù)調(diào)升封測(cè)價(jià)格，調(diào)幅上看三成，后續(xù)不排除啟動(dòng)第二波漲價(jià)。
至于存儲(chǔ)芯片，漲勢(shì)還能維持多久？不同的機(jī)構(gòu)、公司均發(fā)布了相關(guān)預(yù)測(cè)，指向2026年未有消退跡象。
美光科技公司表示，內(nèi)存芯片短缺在過(guò)去一個(gè)季度愈演愈烈，供應(yīng)緊張狀況將持續(xù)到2026年之后。
新思科技CEO Sassine Ghazi透露，頂級(jí)制造商的大部分內(nèi)存用于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施，許多其他產(chǎn)品也需內(nèi)存，導(dǎo)致其他市場(chǎng)面臨短缺，因無(wú)剩余容量可用。 Ghazi還稱(chēng)，存儲(chǔ)器芯片價(jià)格上漲及短缺將持續(xù)到2027年。雖然芯片公司正擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，但至少需兩年才能實(shí)現(xiàn)，這也是產(chǎn)能緊張持續(xù)的原因之一。
瑞銀Nicolas Gaudois最新報(bào)告顯示，DRAM預(yù)計(jì)供應(yīng)短缺將持續(xù)到2027年第一季度，其中DDR需求增長(zhǎng)20.7%，遠(yuǎn)超供應(yīng)增長(zhǎng)。NAND短缺情況預(yù)計(jì)延續(xù)至2026年第三季度。
快報(bào)
根據(jù)《網(wǎng)絡(luò)安全法》實(shí)名制要求，請(qǐng)綁定手機(jī)號(hào)后發(fā)表評(píng)論