受AI算力需求爆發(fā)影響，存儲(chǔ)芯片價(jià)格在2026年開年之后，繼續(xù)維持狂飆模式。
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research發(fā)布報(bào)告顯示，存儲(chǔ)市場(chǎng)行情已經(jīng)超過(guò)2018年的歷史高點(diǎn)，供應(yīng)商議價(jià)能力已達(dá)到歷史最高水平，預(yù)計(jì)2026年第一季度市場(chǎng)價(jià)格還將上漲40%至50%，第二季度繼續(xù)上漲約20%。
有數(shù)據(jù)顯示，16GB DDR5筆記本內(nèi)存條價(jià)格在幾個(gè)月內(nèi)從380多元漲至1399元；256GB DDR5服務(wù)器內(nèi)存條價(jià)格已超過(guò)4萬(wàn)元/條，一盒100根總價(jià)約400萬(wàn)元，已超過(guò)上海部分中小戶型房產(chǎn)的價(jià)值。
TrendForce集邦咨詢調(diào)查報(bào)告則顯示，存儲(chǔ)芯片上漲帶動(dòng)下游電子消費(fèi)品價(jià)格上漲。終端產(chǎn)品面臨成本考驗(yàn)，智能手機(jī)、個(gè)人電腦預(yù)計(jì)將上修產(chǎn)品價(jià)格、調(diào)降規(guī)格。
這意味著，2026年，可能成為消費(fèi)電子的“最貴之年”。
存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲的直接原因，與AI服務(wù)器需求激增直接相關(guān)。
公開數(shù)據(jù)顯示，單臺(tái)AI服務(wù)器的內(nèi)存需求，是傳統(tǒng)服務(wù)器的8到10倍。隨著AI服務(wù)器需求的上漲，為了滿足不斷增長(zhǎng)的內(nèi)存需求，手握巨量資金的AI巨頭鎖定了大量高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能。
相比于傳統(tǒng)內(nèi)存（如GDDR5）的2D平面形態(tài)，HBM不再將內(nèi)存芯片平鋪在電路板上，而是像搭積木一樣將它們垂直堆疊起來(lái)。
堆疊的各層芯片之間通過(guò)數(shù)以千計(jì)的“硅通孔”實(shí)現(xiàn)垂直互聯(lián)，這些TSV如同連接高樓各層的專用高速電梯，讓數(shù)據(jù)在芯片內(nèi)部直接上下傳輸，路徑大大縮短，以此提升數(shù)據(jù)傳輸效率。
據(jù)京東平臺(tái)顯示，部分256GB DDR5服務(wù)器內(nèi)存已超過(guò)4萬(wàn)元/條
相比于傳統(tǒng)內(nèi)存，HBM的核心優(yōu)勢(shì)在于帶寬極高、功耗更低、占用物理空間小，成為了AI服務(wù)器的最佳內(nèi)存選擇。
不過(guò)，生產(chǎn)一片HBM晶圓所消耗的綜合產(chǎn)能，是生產(chǎn)一片同尺寸標(biāo)準(zhǔn)DRAM晶圓的3倍以上。
為了追求利潤(rùn)最大化，全球三大存儲(chǔ)巨頭（三星、SK海力士、美光）將有限的、通用的高端產(chǎn)能（晶圓、制程、封裝），大規(guī)模轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的服務(wù)器和HBM。這直接剝奪了傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)品（尤其是DDR4/LPDDR4X）的產(chǎn)能供給。
而市場(chǎng)另一端，傳統(tǒng)存儲(chǔ)領(lǐng)域的“長(zhǎng)尾需求”依然存在。于是，尖銳的供需矛盾引發(fā)價(jià)格飆升，并通過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈的恐慌備貨和投機(jī)行為被進(jìn)一步放大。
目前，新的晶圓廠和封裝產(chǎn)能建設(shè)周期長(zhǎng)達(dá)2-3年，存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)能緊張局面在短期內(nèi)難以根本緩解。2026年全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)量預(yù)計(jì)僅增長(zhǎng)7%-8%，遠(yuǎn)低于20%-25%的需求增速。
當(dāng)大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的高帶寬內(nèi)存（HBM）后，消費(fèi)電子產(chǎn)品所使用的傳統(tǒng)DRAM和NAND Flash則因供應(yīng)嚴(yán)重不足而大幅漲價(jià)，繼而將持續(xù)推高包括智能手機(jī)、PC在內(nèi)的各類終端售價(jià)。
據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度通用型DRAM合約價(jià)格環(huán)比漲幅將達(dá)55%至60%，NAND閃存產(chǎn)品價(jià)格也將上升33%至38%，其中消費(fèi)級(jí)大容量QLC產(chǎn)品漲幅不低于40%。
“過(guò)去儲(chǔ)存芯片占終端產(chǎn)品成本約20%，經(jīng)過(guò)本輪價(jià)格暴漲，如今已普遍升至30%以上，部分高端機(jī)型甚至超過(guò)35%。終端市場(chǎng)如果不漲價(jià)，就無(wú)法消化成本壓力。”群智咨詢執(zhí)行副總經(jīng)理兼首席分析師陳軍表示。
聯(lián)想官網(wǎng)售價(jià)顯示，其5000元以上筆記本年初價(jià)格較2025年年末漲價(jià)幅度在500元至1500元不等。另有多名聯(lián)想零售端商家表示，從2025年下旬便開始實(shí)施漲價(jià)方案，漲幅約在5%至10%。
戴爾、惠普等也都在計(jì)劃漲價(jià)，漲幅最高達(dá)20%。惠普CEO Enrique Lores警告稱，2026年下半年“可能尤其艱難”，必要時(shí)將上調(diào)價(jià)格。
聯(lián)想CFO鄭孝明同樣表示：“到2026年，由于內(nèi)存價(jià)格整體上行，漲價(jià)是必然趨勢(shì)。”他透露，公司正通過(guò)長(zhǎng)期供應(yīng)合同、期貨及戰(zhàn)略囤貨等多種方式保障內(nèi)存供應(yīng)。
PC之外，IDC則表示，內(nèi)存半導(dǎo)體在智能手機(jī)的成本占比已從此前的10%至15%飆升至最近的20%以上。其中，中低端手機(jī)的存儲(chǔ)成本占比更是接近30%，部分千元手機(jī)已陷入負(fù)毛利區(qū)間。
IDC預(yù)測(cè)，2026年智能手機(jī)平均售價(jià)將升至465美元，整體市場(chǎng)營(yíng)收將會(huì)達(dá)到5789億美元，創(chuàng)歷史新高。
最新的Counterpoint Research研究預(yù)計(jì)，受存儲(chǔ)成本上升影響，全球智能手機(jī)市場(chǎng)在2026年或?qū)⒊尸F(xiàn)“量減價(jià)升”的態(tài)勢(shì)。
該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)2026年全球智能手機(jī)平均售價(jià)同比上漲6.9%，同全球智能手機(jī)出貨量將減少2.1%。其中，200美元以下低價(jià)位段受影響最為明顯，整體市場(chǎng)都將受到波及。
TrendForce集邦咨詢也下修了2026年全球智能手機(jī)生產(chǎn)出貨預(yù)期，從原先的年增0.1%調(diào)整為年減2%，且再度下修2026年全球筆記本電腦出貨為年減5.4%，不排除擴(kuò)大至年減10.1%。
“如果2026年第二季存儲(chǔ)器價(jià)格漲幅未合理收斂，而品牌無(wú)法順利轉(zhuǎn)嫁成本，那么低階、消費(fèi)型筆記本電腦需求可能會(huì)進(jìn)一步走弱。”TrendForce稱。（文 | 科技潛線，作者| 饒翔宇 編輯 | 鐘毅）
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