按平臺劃分，高性能計算（HPC）和智能手機分別占凈營收的55%和32%，而物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、汽車、數(shù)據(jù)通信設備（DCE）和其他分別占5%、5%、1%和2%。來自北美地區(qū)的客戶的收入占臺積電總凈收入的74%，而來自亞太地區(qū)，中國大陸、日本和歐洲、中東、非洲（EMEA）的收入分別占總凈收入的9%、9%、4%和4%。
“對人工智能的需求依然非常強勁，推動了整個服務器行業(yè)的芯片總需求。”Counterpoint Research高級分析師杰克·萊伊（Jake Lai）表示，并預測2026年將是人工智能服務器需求的又一個“爆發(fā)年”。
臺積電預計，2026年資本支出520億美元至560億美元，而公司2025年資本支出總計409億美元。這一高額資本支出規(guī)劃與行業(yè)整體趨勢一致，集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2026年全球前十大晶圓代工廠總資本支出將同比增長13.3%，主要用于先進制程產能擴充。
2025年Q1，臺積電營收8392.5億新臺幣，超出預期的8351.3億新臺幣，同比增長41.76%；凈利潤為3615.6億新臺幣，同比增長60.3%。3nm制程營收占比22%，5nm占比36%，7nm占比15%。
Q2臺積電合并營收約9337.9億元新臺幣，同比增長38.6%，凈利潤3982.7億新臺幣，同比增長60.7%。3nm制程營收占比24%，5nm占比36%，7nm占比14%。
Q3臺積電合并營收約9899.2億元新臺幣，同比增30.3%，凈利潤為4523億新臺幣，同比增39.1%。3nm制程營收占比23%，5nm占比37%，7nm占比14%。
結合本次披露的 Q4 營收數(shù)據(jù)，可完整梳理出2025 年全年營收情況，臺積電全年營收1224.2億美元，同比增長35.9%；EPS 66.25新臺幣，增長46.4%。
“隨著臺積電正在進行的2納米產能擴建以及新生產線的投入運營為收入做出貢獻，再加上先進封裝的持續(xù)擴展……臺積電預計在2026年仍將保持強勁表現(xiàn)。”萊伊說道。
2025年12月，臺積電在其2nm 技術官方網(wǎng)頁上發(fā)表聲明稱：“臺積電的 2nm (N2) 技術已按計劃于 2025 年第四季度開始量產。 ”
業(yè)界分析曾指出，N2預計從今年下半年開始為臺積電貢獻營收；由于需求旺盛、定價高昂，2nm 有望超越此前的 5nm 和 3nm 成為“最旺的一代制程”。摩根大通（JPM）報告指出，臺積電 2nm 工藝流片數(shù)量達到 3nm 同期的 1.5 倍，并有望憑借 2nm 工藝拿下全球 AI 加速器市場超過 95% 的份額。
目前，中國臺灣本島的2nm生產基地有新竹科學園區(qū)晶圓20廠、高雄晶圓22廠這兩座廠，其中高雄晶圓22廠是主要量產基地。當前，這兩座廠的月產能可以達到3.5萬片，并且產能正在持續(xù)爬坡，2026年底有望達到月產8~10萬片。
2nm制程新廠也在馬不停蹄地開建中，比如上個月臺積電就申請在臺南科學園區(qū)特定區(qū)域里再蓋一座廠，預計最后一共會有5~6座廠。
分析師預測，3nm 產能將于 2026 年觸頂，屆時 2nm 制程將接棒成為核心增長點。隨著 2nm 訂單量激增，該制程營收有望在 2026 年Q3超越 3nm 與 5nm 營收之和。
群智咨詢最新發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2025 年第四季度，全球主流晶圓廠平均產能利用率已回升至90%，同比提升約 7 個百分點。
這一輪產能利用率的修復節(jié)奏超出市場預期，核心驅動力來自兩大板塊的需求拉動：一是AI 應用的爆發(fā)，直接帶動電源管理芯片、模擬芯片等相關產品的訂單量激增；二是車載、工控等下游領域的需求回暖，進一步消化了晶圓代工產能。
分制程來看，8 英寸晶圓產線延續(xù)了此前的滿載狀態(tài)，相關產品價格已進入上行通道；而 12 英寸制程中，55nm、90nm 等成熟工藝的供需關系正持續(xù)趨緊，市場預計 2026 年將迎來一輪普漲行情。
各制程晶圓代工價格趨勢詳解
12英寸方面，7nm及以下制程的主要代工公司臺積電表示2026年先進制程漲幅將達3%至10%。這也是其連續(xù)第四年調升價格。
28/40nm制程下游覆蓋 MCU、Wi-Fi 芯片、OLED 驅動芯片等領域，需求抗波動性強 —— 市場下行期保持穩(wěn)定，AI 需求爆發(fā)期增長溫和。2025 年產能利用率持續(xù)高位，2026 年晶合集成等大陸廠商新產能釋放，行業(yè)供需趨于平衡，全年報價無顯著變化。
55/90nm制程主打高端電源管理芯片、Nor Flash 等產品，在 AI 需求增長、DRAM/NAND 存儲供應緊張的雙重驅動下，需求持續(xù)攀升。目前多數(shù)大陸代工廠已釋放漲價信號，部分廠商已落地漲價；受二線晶圓廠擴產牽制，頭部廠商漲價暫未在 2026 年 Q1 落地，預計行業(yè)普漲將集中在 Q2-Q3。
關于全球十大12英寸晶圓代工廠的產能投片方面，集邦咨詢預計2026年成熟制程與先進制程的總投片量將增至332.6萬片，較2025年的300萬片同比增長11%。其中，新增投片量中約有75%是成熟制程，25%是先進制程。
在先進制程節(jié)點中，2nm工藝的月產能預計約為5.5萬片，主要由臺積電貢獻；3nm產能被英偉達、AMD及主要云端廠商的自研芯片集中占據(jù)，目前月產能僅約3000片。
在成熟制程節(jié)點方面，28nm/22nm節(jié)點的月投片5.4萬片，45nm/40nm節(jié)點的月投片5.3萬片，65nm/55nm及90nm/80nm節(jié)點的月投片6.2萬片。2026年新增成熟制程產能中，約有77%來自中國大陸地區(qū)。隨著中國大陸地區(qū)新建產能陸續(xù)釋放，到2026年該地區(qū)28nm產能占比將待36%，40nm產能占比33%，55nm產能占比28%，90nm產能占比3%。
8英寸方面，漲價原因主要有兩點。第一點，部分國際大廠比如臺積電、三星、恩智浦削減8英寸晶圓產能，導致中芯國際、世界先進等盡管在小幅擴產，但仍不及兩大廠減產幅度。另一方面，AI、車載應用持續(xù)拉動，也導致8英寸代工供應緊張。2026 年 Q1 起八英寸晶圓代工行業(yè)整體漲幅達 5%-10%。與此同時，供需關系的緊張也將加速電源管理、顯示驅動、傳感器等應用從 8 英寸向 12 英寸制程遷移。
具體廠商漲幅方面，中芯國際已正式向下游客戶發(fā)布漲價通知，明確對8英寸BCD工藝代工提價約10%。隨后中國臺灣晶圓廠世界先進迅速跟進，同款工藝漲價幅度同樣達到10%。早在二季度，華虹半導體就已率先上調成熟制程價格，三季度便顯現(xiàn)盈利成效。
這一表現(xiàn)與8英寸產能利用率梯隊分布相符：華虹、中芯國際及世界先進處于第一梯隊，產能利用率均超過90%，其中華虹與中芯國際受益于國內市場需求及政策導向，世界先進則承接大量AI相關PMIC訂單；臺積電、格羅方德等處于第二梯隊，產能利用率在70%至90%之間；聯(lián)電和三星則處于第三梯隊，產能利用率不足70%。
如今，傳統(tǒng)的“晶圓代工 1.0”定義僅聚焦于芯片制造環(huán)節(jié)，已無法充分反映當前行業(yè)動態(tài)。Counterpoint 提出“晶圓代工 2.0”概念，將純晶圓代工廠、非存儲 IDM、OSAT 廠商以及光掩膜供應商納入統(tǒng)一分析框架。
根據(jù)Counterpoint Research 最新發(fā)布的《按節(jié)點劃分的代工收入、良率與產能利用率追蹤報告》，2025 年 Q3 全球晶圓代工 2.0 市場營收同比增長 17%，達到 848 億美元。這一兩位數(shù)增長主要來自 AI GPU 在前端晶圓制造及后端先進封裝領域的持續(xù)需求。
具體來看，以下四點趨勢：
第一點，得益于先進制程加持，臺積電壟斷優(yōu)勢加劇。在純晶圓代工廠中，臺積電持續(xù)領跑整體市場，營收同比增長 41%。增長主要來自蘋果旗艦智能手機 3nm 芯片的量產爬坡，以及 NVIDIA、AMD、Broadcom 等 AI 加速器客戶對 4/5nm 制程的滿載需求。
第二點，非臺積電晶圓代工廠增長趨緩。非臺積電晶圓代工廠整體在 2025 年 Q3 實現(xiàn) 6% 的同比增長，低于 2025 年 Q2 的 11%。其中，中國晶圓代工廠表現(xiàn)相對突出，在關稅效應減弱的情況下，仍在本土政策支持下實現(xiàn) 12% 的同比增長。
第三點，非存儲IDM 企業(yè)迎來復蘇。非存儲 IDM 廠商整體恢復增長，同比提升 4%，表明庫存去化周期已接近尾聲。德州儀器以 14% 的同比增長領跑，而意法半導體也顯示出下滑趨勢緩解的跡象。
第四點，OSAT 行業(yè)持續(xù)繁榮。OSAT 行業(yè)在 2025 年 Q3 營收同比增長 10%（2024 年同期為 5%）。日月光與矽品成為當季主要增長貢獻者，其 FOCoS（扇出型基板芯片封裝）方案受益于臺積電為滿足 AI GPU 與 AI ASIC 需求而外溢的訂單。Counterpoint 預計，2026 年先進封裝產能將同比大幅提升100%，因此 AI GPU 與 AI ASIC 將在 2025–2026 年成為OSAT 廠商最主要的增長引擎。
不過就目前來看，筆者認為接下來的晶圓代工市場將呈現(xiàn)明顯的第五點趨勢：
第五點，存儲代工廠需求強勁，成為晶圓代工2.0時代的新增長極。當前市場火熱的存儲芯片主要采用成熟制程，除了追求極限密度的DRAM和NAND Flash主流產品線需采用10nm級及以下的先進制程外，許多通用的、對成本和穩(wěn)定性要求較高的存儲芯片，例如某些類型的DRAM、NOR Flash以及中小容量產品，會使用成熟制程（通常指28納米及以上，如40納米、55納米等）進行制造。
在此前2025年Q3業(yè)績說明會上，中芯國際CEO趙海軍表示當存儲市場供給短缺5%時，產品價格將翻倍；而當供給過剩5%時，價格則會腰斬。當前存儲市場正處于至少短缺5%的供需格局，這意味著存儲器高價位態(tài)勢將持續(xù)下去。中芯國際可提供特色存儲NOR、NAND提供更高密度、更小尺寸、更低功耗的高可靠存儲平臺。
另一家國產代工龍頭華虹半導體亦受益于存儲需求增長。隨著存儲市場需求熱度持續(xù)攀升，帶動華虹存儲代工需求同步拉升。其特色工藝平臺與存儲芯片制造需求適配度較高，相關業(yè)務營收占比持續(xù)提升。
近日，花旗在其最新的展望中，展現(xiàn)了比野村證券更為激進的看漲姿態(tài)。分析師認為，受AI Agent（人工智能代理）普及和AI CPU內存需求激增的驅動，存儲芯片價格將在2026年出現(xiàn)失控式上漲。分析師將2026年DRAM的平均售價（ASP）漲幅預期從原本的53%暴力上調至88%，NAND的漲幅預期從44%上調至74%。這一需求增長將直接帶動存儲代工產能緊張，推動相關代工廠產能利用率維持高位。
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