1、三星年內(nèi)將推3D HBM芯片封裝服務(wù)，先進(jìn)封裝大勢(shì)所趨
三星內(nèi)部和業(yè)內(nèi)消息人士稱，三星電子將在年內(nèi)推出高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的三維（3D）封裝服務(wù)，預(yù)計(jì)這項(xiàng)技術(shù)將用于將于2025年推出的HBM4。
Yole預(yù)計(jì)，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模有望從2023年的468.3億美元增長(zhǎng)到2028年的785.5億美元。山西證券表示，先進(jìn)封裝是超越摩爾定律、提升芯片性能的關(guān)鍵，AI加速其發(fā)展，內(nèi)資封測(cè)廠商積極布局先進(jìn)封裝，國(guó)產(chǎn)設(shè)備、材料環(huán)節(jié)持續(xù)獲得技術(shù)突破，先進(jìn)封裝大勢(shì)所趨，國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈機(jī)遇大于挑戰(zhàn)。
2、馬斯克稱將推迷你版星鏈終端設(shè)備，衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)加速推進(jìn)
據(jù)媒體報(bào)道，馬斯克在X上回應(yīng)網(wǎng)友時(shí)稱，將在幾個(gè)月內(nèi)推出迷你版星鏈終端設(shè)備。如果固網(wǎng)壞了，Mini是一個(gè)很好的低成本選擇，可以作為一個(gè)好的備用互聯(lián)網(wǎng)連接。
在當(dāng)代低軌衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)加速建設(shè)，以及高通量衛(wèi)星技術(shù)的發(fā)展促使衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)通信的性能大幅提升和用戶成本快速下降的背景下，全球衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了快車道，各國(guó)競(jìng)相布局。東吳證券認(rèn)為，政策端，衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)布局為國(guó)家戰(zhàn)略性方向，政策持續(xù)大力扶持，有望為國(guó)內(nèi)衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)跨越式發(fā)展提供有力保障；技術(shù)端，低軌通信衛(wèi)星星座加快部署，衛(wèi)星通信、測(cè)控與測(cè)試裝備市場(chǎng)需求有望快速提升；產(chǎn)業(yè)端，衛(wèi)星通信技術(shù)頻獲進(jìn)展，市場(chǎng)規(guī)模星辰大海。持續(xù)看好衛(wèi)星組裝、衛(wèi)星應(yīng)用等相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)會(huì)。
3、SK海力士大幅擴(kuò)產(chǎn)第5代1b DRAM，明年還要再增65%
據(jù)TheElec消息，SK海力士正在大幅擴(kuò)產(chǎn)第5代1bDRAM，以應(yīng)對(duì)HBM與DDR5DRAM的需求增加。通過(guò)本次投資，按照晶圓投入量看，SK海力士的1bDRAM月產(chǎn)能將從今年一季度的1萬(wàn)片增加到年末的9萬(wàn)片，增幅達(dá)800%，且這一目標(biāo)較去年年末給出的7萬(wàn)片目標(biāo)高出近三成。這還不是擴(kuò)產(chǎn)的終點(diǎn)。SK海力士還計(jì)劃到明年上半年，將1bDRAM月產(chǎn)量增加到14萬(wàn)-15萬(wàn)片，是今年一季度產(chǎn)能的14-15倍，最高較今年年末產(chǎn)能目標(biāo)增超65%。
國(guó)金證券認(rèn)為，23年是AI訓(xùn)練的元年，24年將是AI推理的元年，主要?dú)w因于海外有望持續(xù)推出包括Sora在內(nèi)的AI應(yīng)用產(chǎn)品，疊加國(guó)內(nèi)國(guó)央企發(fā)力AI應(yīng)用，這將有力帶動(dòng)AI推理的需求。芯片領(lǐng)域，算力和存儲(chǔ)是兩個(gè)率先受益的領(lǐng)域，特別是在當(dāng)前國(guó)產(chǎn)大趨勢(shì)下，算力和存儲(chǔ)將決定未來(lái)十年AI勝負(fù)的關(guān)鍵，國(guó)產(chǎn)HBM未來(lái)有較大的需求空間，國(guó)內(nèi)與HBM相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的公司有望加速發(fā)展。
4、AI芯片升級(jí)迫在眉睫，催生了相關(guān)材料發(fā)展機(jī)遇
AI產(chǎn)業(yè)快速升溫和算力需求高速增長(zhǎng)的背景下，AI芯片加速向高性能和大功率方向發(fā)展，驅(qū)動(dòng)相關(guān)材料的技術(shù)變革和需求放量，中信證券指出，金屬軟磁芯片電感憑借耐大電流+小型化特性在大算力場(chǎng)景取代鐵氧體電感并且滲透率提升有望加速，預(yù)計(jì)2023-2027年全球金屬軟磁芯片電感市場(chǎng)規(guī)模CAGR達(dá)76%，高壁壘下競(jìng)爭(zhēng)格局有望維持高度集中的態(tài)勢(shì)。
芯片電感是一種特殊形式的一體成型電感，是芯片供電模塊的核心元件，起到為芯片前端供電的作用。隨著AI芯片功率增加，鐵氧體電感已無(wú)法滿足大電流的需求，金屬軟磁材料的飽和磁通密度是鐵氧體的2倍以上，因此具備出色的直流疊加特性，屬于適合大電流的材料。天風(fēng)證券表示，AI算力需求迸發(fā)，作為AI算力提升的硬件基礎(chǔ)，AI芯片升級(jí)迫在眉睫，催生了相關(guān)材料發(fā)展機(jī)遇。由于AI芯片高算力、高功耗及AI算力下沉兩大發(fā)展趨勢(shì)，金屬軟磁芯片電感有望加速滲透，將占據(jù)AI服務(wù)器用芯片電感市場(chǎng)空間絕對(duì)份額。
2024.06.19
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