SK海力士發(fā)表HBF與HBM混合架構(gòu),性能提升高達(dá)2.69倍
鈦媒體App 2月12日消息,SK海力士近日通過發(fā)表在IEEE(電氣與電子工程師協(xié)會(huì))全球半導(dǎo)體大會(huì)上的論文,提出了一種新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)采用了HBM和HBF兩種技術(shù),公司將8個(gè)HBM3E和8個(gè)HBF置于英偉達(dá)Blackwell旁進(jìn)行實(shí)驗(yàn),結(jié)果表明,與單獨(dú)使用HBM相比,這種配置可以將每瓦計(jì)算性能提升高達(dá)2.69倍。(廣角觀察)
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