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鈦媒體App 2月2日消息，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的驅(qū)動因素和重要保證。從中國科學院微電子研究所獲悉，我國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，第三代半導體材料有望牽引我國航天電源升級換代。據(jù)中國科學院微電子研究所劉新宇研究員介紹，功率器件是實現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽為“電力電子系統(tǒng)的心臟”，是最為基礎(chǔ)、應(yīng)用最為廣泛的器件之一。隨著硅基功率器件的性能逼近極限，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，以其獨特優(yōu)勢可滿足空間電源系統(tǒng)高能效、小型化、輕量化需求，對新一代航天技術(shù)發(fā)展具有重要戰(zhàn)略意義。 (新華社)