三星電子正顯著加快高帶寬內(nèi)存（HBM）的迭代步伐，將新一代產(chǎn)品的研發(fā)周期從約兩年縮短至一年以內(nèi)，希望在AI驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)芯片競(jìng)爭(zhēng)中重新掌握主動(dòng)。據(jù)韓國(guó)媒體援引內(nèi)部人士消息，三星計(jì)劃每年推出新一代HBM產(chǎn)品，以匹配英偉達(dá)等客戶新款A(yù)I加速器的發(fā)布節(jié)奏。

AI應(yīng)用的爆發(fā)式增長(zhǎng)正推動(dòng)HBM供應(yīng)商加速轉(zhuǎn)型，主要AI加速器廠商已轉(zhuǎn)向年度更新周期，三星的這一調(diào)整正是為了對(duì)齊客戶的產(chǎn)品路線圖，深度融入AI硬件生態(tài)的核心環(huán)節(jié)。三星高度垂直整合的生產(chǎn)體系——從裸片制造到封裝環(huán)節(jié)均由內(nèi)部完成——為研發(fā)周期的壓縮提供了堅(jiān)實(shí)支撐，混合鍵合等先進(jìn)封裝技術(shù)則進(jìn)一步助力定制化方案的快速落地。

目前三星量產(chǎn)的最新產(chǎn)品是HBM3E，HBM4預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候隨英偉達(dá)Vera Rubin平臺(tái)等同步推出，HBM4E則計(jì)劃在今年下半年進(jìn)入樣品測(cè)試階段。這一系列動(dòng)作將幫助三星在定制化HBM市場(chǎng)建立先發(fā)優(yōu)勢(shì)，更好地應(yīng)對(duì)SK海力士與美光的競(jìng)爭(zhēng)，進(jìn)而重塑高端HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。